Institut d'Électronique et de Télécommunications de Rennes
UMR CNRS 6164

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Matériaux en couche mince application antennes et dispositifs électroniques

  • Oxyde d’indium dopé étain (ITO) en couche mince

Le matériau ITO semiconducteur de type n à large bande interdite (Eg > 3eV), présente la caractéristique d’être transparent dans le visible. L’application première visée est la réalisation d’antennes planaires transparentes. L’originalité du travail a été de mettre au point la méthode pour obtenir l’ITO à température ambiante de manière reproductible (et ayant ses propriétés optimales).

  • Oxyniture LaTiO2N en couche mince

Le but de ce sujet est d’évaluer les potentialités d’application des couches minces de l’oxynitrure perovskite LaTiO2N dans les domaines de la photocatalyse (sous lumière visible de la réaction d’hydrolyse de l’eau pour obtenir le combustible H2), des diélectriques haute permittivité (condensateurs haute capacité et mémoires DRAM, diélectriques de grille pour transistors MOSFET) et des ferroélectriques (mémoires FeRAM, agilité en fréquence).

Notre étude sur le dépôt par pulvérisation réactive (argon + azote) a montré que sous forme de couche mince, l’oxynitrure développe une solution solide, c’est à dire qu’il est possible d’obtenir des couches avec différents taux d’oxygène et d’azote, de type LaTiOxNy. Nous avons montré que le taux d’azote N dans les couches augmentait avec le taux d’azote injecté N2 dans le plasma de pulvérisation. L’existence du domaine de composition LaTiOxNy ouvre la possibilité d’ajuster les caractéristiques physiques (permittivité, bande interdite Eg, conductivité électrique...) en fonction des applications envisagées. Les oxynitrures LaTiOxNy sont colorées (1,77


Animateur : J. Pinel

Chercheurs associés : X. Castel, L. Le Gendre, C. Le Paven-Thivet, R. Benzerga






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