Institut d'Électronique et de Télécommunications de Rennes
UMR CNRS 6164

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Mise au point d’une technologie à très basse température

  • Silicium microcristallin non-dopé et dopé déposé à T<200°C

Cette technologie qui se trouve dans la continuité des compétences antérieures est développée dans le but des applications suivantes : électronique sur substrat souple bio-compatible, textile intelligent, affichage nomade. Elle nécessite le contrôle des dépôts en liaison avec les propriétés électroniques des composants. Des dépôts utilisant la technique PECVD ont permis de réaliser des couches de silicium non dopé ou dopé in-situ dont la morphologie correspond à un matériau microcristallin, avec des cristallites de l’ordre de quelques dizaines de nanomètres.

  • Re-cristallisation laser excimer du silicium microcristallin déposé précédemment à T<200°C

Pour continuer les travaux sur la compatibilité de l’électronique avec les substrats, les expériences de cristallisation laser antérieures se sont poursuivies et dans la dernière période ont été effectuées à l’aide d’un nouveau laser excimer acquis par le groupe microélectronique en 2005.

  • Oxyde de silicium de qualité isolant de grille déposé par pulvérisation RF sans chauffage

Dans le but de contrôler toute la chaîne de fabrication de TFTs à basse température, des dépôts de SiO2 nécessaire à l’isolant de grille ont été effectués et contrôlés. Pour des caractéristiques C-V à haute fréquence et en quasi-statique d’une structure Aluminium/SiO2 déposé par pulvérisation RF sans chauffage/Si mono, la tension de bande plate est de -0.2V, la densité d’états d’interface : 6,4.1010 eV-1 cm-2, ce qui correspond à des performances excellentes pour les applications visées.

  • TFT réalisés à partir du silicium µc déposé à 165°C, du SiO2 précédent, dans un procédé à T<200°C (température du forming gas)

Les TFT réalisés à partir du silicium µc as-deposited à 165°C, du SiO2 précédent, dans un procédé à T<200°C (température du forming gas) ont permis d’atteindre un record mondial quant à la mobilité pour ce type de matériau. La structure a fait l’objet du dépôt d’un brevet.

  • TFT réalisés à partir du silicium µc déposé à 165°C et recristallisé par laser excimère, du SiO2 précédent, dans un procédé à T<200°C (température du forming gas)

La combinaison des procédés précédents avec un recuit laser excimère a permis d’aboutir à des performances remarquables : avec un rapport Ion/Ioff supérieur à 106 pour une tension de polarisation de drain de 1V, la mobilité a atteint 400 cm2/V.s.


Animateurs : T. Mohammed-Brahim, C. Simon, N. Coulon

Chercheurs associés : R. Rogel, H. Lhermite, M. Sarret, T. Gaillard, L. Pichon






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