Institut d'Électronique et de Télécommunications de Rennes
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Etude et conception d’un « Intelligent Power Module (IPM) » forte puissance en technologie SiC : développement du Gate Driver

Titre : Etude et conception d’un « Intelligent Power Module (IPM) » forte puissance en technologie SiC : développement du Gate Driver.

Date de début : octobre-novembre 2019.

Lieu : IETR, Equipe SYSCOM, site de Nantes.

Correspondant : Nicolas GINOT

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