Institut d'Électronique et de Télécommunications de Rennes
UMR CNRS 6164

| ENT |






Accueil du site > Accueil > Production scientifique > Thèses en cours > Équipe MM (Dpt MM)

Croissance, caractérisation et mise en œuvre de nanofils Si, Ge et Si/Ge

Doctorant : Mahmoud ISRAEL.

Directeur de thèse : Laurent PICHON.

Thèse débutée le : 01/10/2012.

Ce travail de thèse associe les compétences des 2 Instituts, dans le domaine des nano-matériaux, pour développer des solutions originales de croissance de nanofils semiconducteurs, en Si tout d’abord, en Ge à court terme et éventuellement en SixGe1-x, utilisant la technique de décomposition chimique en phase vapeur à basse pression (à partir de précurseurs hydrures), et dans un second temps incorporer ces nanofils dans des dispositifs microélectroniques. Parmi les concepts de dispositifs envisagés, nous nous intéressons à des applications des propriétés thermiques et électriques particulières de ces nanofils.
L’équipe de l’IETR apporte le savoir-faire acquis sur les procédés de croissance de type LPCVD en général, appliqué aux matériaux comme Si et Ge, et en particulier ce qui concerne la croissance de nanofils semiconducteurs (mono ou polycristallins) par des approches Vapor / Liquid / Solid. Dans un second temps la réalisation de dispositifs microélectroniques grâce aux moyens de la plate-forme Nano-Rennes sont envisagés.
L’IPR apporte son expertise en caractérisation des propriétés structurales de (nano) matériaux, notamment par spectroscopie Raman.

Page du doctorant






Départements et équipes de recherche
>
Top