Pôle couches minces

La plateforme NanoRennes dispose de moyens de dépôts et de croissance de couches minces couvrant un large spectre en terme de matériaux et de température de dépôt ou de croissance.

Croissance à haute température (autour de 1000°C)

Principaux équipements:
_ Oxydation thermique sèche et humide
_ Dopage substrat Silicium

Dépôts chimique en phase vapeur

Principaux équipements:
_ LPCVD (Si, SiOx, SiNx, Ge, Nanofils VLS)
_ PECVD (Si, SiOx, SiNx, Ge)
_ ICPCVD ((Si, SiOx, SiNx)

Evaporation thermique

Principaux équipements:
_ Canon à électron alliance concept (Al, Au, Ti, Mo, In, Ni, Cu, etc.)
_ Évaporateur de notre conception (Al, Au, Ti, Mo, In, Ni, Cu, Constantan, etc.)

Pulvérisation

Principaux équipements:
_ MRC (SiOx, SiNx)
_ Plasmionique SPT 320 HB (ZnO)
_ Perkin-elmer radnex (Al0x)

Exemples de réalisations

Exemple 1

Exemple 1

Exemple 2

exemple 2