Etude de structure d'OFET pour accroitre la densité d'integration : application à des portes logiques CMOS organiques (Sarah Nguyen)

Thèse débutée en septembre 2018

Directeur de Thèse: E. Jacques
Co-encadrant: O. De Sagazan

Résumé:

Sarah El Habchi étudie la possibilité d’accroître la densité d’intégration de transistors organiques pour la fabrication de circuits numériques de type CMOS. Actuellement, la mobilité des porteurs dans un semiconducteur organique est limitée, la conséquence directe est la limitation du dispositif électronique en courant et en fréquence. L’objectif principal de cette thèse est d’augmenter le nombre de transistors pour une surface donnée.
La méthodologie pour mener cette tâche est la suivante. Dans les années 2000, la densité d’intégration des transistors « classiques » fabriqués à partir de silicium a pu être augmentée par une conception de structure 2.5D et 3D. Nous souhaitons adopter la même stratégie. L’objectif est donc d’étudier des structures de transistor utilisant un empilement de canaux de conduction (transistors multicanaux). Cette solution est la plus originale car très complexe à mettre en œuvre avec des technologies silicium classique. Grâce à notre technologie qui possède un faible budget thermique et un procédé de fabrication fiable, l’empilement de structure TFT en 3D est tout à fait envisageable en électronique organique.